紫外線LED通常是指發(fā)光中心波長低于400nm的LED，但當(dāng)發(fā)光波長大于380nm時(shí)有時(shí)稱為近紫外線LED，而短于300nm時(shí)則稱為深紫外線LED。 由于短波光具有很高的殺菌作用，紫外線LED通常用于冰箱和家用電器的殺菌和除臭[1]。
就產(chǎn)品而言，日亞化學(xué)工業(yè)推出了發(fā)射中心波長在365nm至385nm范圍內(nèi)的品種，而Nitride Semiconductor推出了發(fā)射中心波長在355nm至375nm之間的品種。
波長小于300nm的深紫外LED的開發(fā)活動(dòng)也很活躍。 2008年，物理化學(xué)研究所和松下電工株式會(huì)社宣布，使用GaN半導(dǎo)體的InAlGaN已開發(fā)出深紫外LED，其中心波長為282nm，光輸出為10mW。 就較短波長的深紫外LED而言，NTT物理科學(xué)技術(shù)學(xué)院使用AlN材料開發(fā)了一種中心發(fā)射波長為210nm的深紫外LED。
紫外線LED（UVLED）主要用于生物醫(yī)學(xué)，防偽識(shí)別，凈化（水，空氣等），計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和軍事領(lǐng)域。 隨著技術(shù)的發(fā)展，新的應(yīng)用將繼續(xù)取代原來的技術(shù)和產(chǎn)品。 UV LED具有廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。 例如，UV LED光療是未來非常流行的醫(yī)療設(shè)備，但當(dāng)前的技術(shù)仍處于增長期。
國產(chǎn)UV LED的發(fā)展?fàn)顩r
國家“十一五” 863計(jì)劃“半導(dǎo)體照明項(xiàng)目”，新材料技術(shù)領(lǐng)域的重大項(xiàng)目，“深層UV LED的制備及應(yīng)用技術(shù)研究” 已經(jīng)進(jìn)行了持續(xù)的研究，并且屬于高鋁領(lǐng)域。在材料研究和設(shè)備應(yīng)用方面取得了重大突破。
半導(dǎo)體深紫外光源在照明，消毒，醫(yī)療，印刷，生化測(cè)試，高密度信息存儲(chǔ)和機(jī)密通信中具有巨大的應(yīng)用價(jià)值。 以AlGaN材料為有源區(qū)的深紫外LED的發(fā)光波長可以覆蓋210-365nm的紫外波段，是實(shí)現(xiàn)該波段深紫外LED器件產(chǎn)品的理想材料，具有其他優(yōu)點(diǎn)。 傳統(tǒng)的紫外線光源無法比擬。
在國家863計(jì)劃的支持下，研究團(tuán)隊(duì)專注于基于MOCVD的深紫外LED材料和器件的研究，著重于解決表面裂紋，晶體質(zhì)量差，鋁成分低以及無法實(shí)現(xiàn)短路的問題。 波長光發(fā)射。 在結(jié)構(gòu)材料設(shè)計(jì)等問題上，一些關(guān)鍵技術(shù)取得了突破，獲得了晶體質(zhì)量高，無裂紋的高鋁成分材料。 在此基礎(chǔ)上，受試者在中國首次成功地在中國制備了300nm以下的深紫外LED裝置，達(dá)到了裝置的毫瓦級(jí)功率輸出，并開發(fā)了深紫外殺菌模塊。 滅菌率達(dá)到95？

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